本文標題："霍爾傳感器由一層薄的P型(或N型)半導體材料組成"
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霍爾傳感器由一層薄的P型(或N型)半導體材料組成
霍爾效應傳感器由一層薄的P型(或N型)半導體材料組成，其內帶有連續
電流。當器件處于磁場中，半導體兩端的電壓差取決于與電流方向垂直的磁
場強度。載荷子(電子)在穿過磁場中運動時受到洛倫茲力(磁場對運動電荷
產生的作用力)的作用，洛倫茲力與運動方向和磁場方向成直角。電子在洛
倫茲力作用下產生霍爾電壓。霍爾電壓與穿過半導體材料的磁場強度成正比
關系。電子遷移率較高的半導體材料，如銦(In)、銻化銦(InSb)、砷化銦(I
nAs)、砷化鎵(GaAs)，被廣泛應用于霍爾效應傳感器中(Eten，2001)。由于
輸出的電壓通常較小——不超過幾mV，因此需要對其進行放大和信號調節，
以提高靈敏度和補償遲滯(對于給定的輸入，上升和下降輸出值之間的差異)
。對于商用傳感器，敏感性、信號放大、電壓調整和信號調制功能都包含在
單個封裝中。
霍爾效應傳感器顯示出較好的環境抗干擾能力．不受粉塵、振動和潮濕
的影響。然而，該類傳感器會受到臨近的其他來源的磁通量的影響，例如由
電線產生的磁通量。該類傳感器結實耐用，可以不通過機械接觸進行傳感檢
測，但是只在一定距離范圍內有效，除非磁場強度很高，否則當距離大于10
cm就失效。
光學傳感器
半導體光學傳感器種類繁多，最常見的是光敏二極管，它是一種將光信
號轉換為電流或電壓的光學檢測器。光敏二極管通常具有一個開窗或與光纖
連接，讓光信號到達PN結或PIN結(在P型與N型半導體區域之間添加了一層本
征半導體區域)。光敏二極管更多地采用PIN型，因為PIN型比PN型具有更快
的響應速度。當一個具有足夠能量強度的光子轟擊二極管的耗盡層時，會與
其中的原子發生碰撞并釋放出電子，由此產生出自由電子(以及與之相對的
帶正電的電子空穴)。耗盡層或者一個擴散長度范圍內的自由電子和空穴，
在外加電場作用下被分隔開。
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