本文標題："電子成像到屏幕上并將電子圖像轉(zhuǎn)換成可見光圖像"
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將發(fā)射的電子成像到屏幕上并將電子圖像轉(zhuǎn)換成可見光圖像
光電發(fā)射電子顯微鏡(photoenlission electron microscope, PEEMI)是用
電子透鏡直接將發(fā)射的電子成像到一個屏幕上并將電子圖像轉(zhuǎn)換成可見光圖像.
第一臺PEEM的發(fā)明要追溯到20世紀30年代，伴隨著電子透鏡和所謂的發(fā)射顯微方法
的建立.Bruclle等于1932年以Uv為光源得到了從金屬發(fā)射的光電子的圖像(194]
其主要的設計理念沿用至今.八九十年代，Renlpfer等改進了電子光學系統(tǒng)，其結(jié)
構(gòu)類似于低能電子顯微鏡(low energy electron microscope, LEENI).這種技術(shù)的改
進得益于幾個相關領域技術(shù)方面的突破，其中包括制備超高真空配件的材料質(zhì)量
的提高、表面敏感的結(jié)構(gòu)和化學分析方法(特別是光電子能譜)的發(fā)明和發(fā)展、圖
像增強劑和電子/光子探測器的快速發(fā)展、大功率低發(fā)射度同步輻射光源的建設等.
目前利用Uv光源的電子發(fā)射顯微鏡可以實現(xiàn)
:以下的空間分辨，利用X射
線可以實現(xiàn)幾十納米的空間分辨，實際的目標己經(jīng)接近發(fā)射顯微方法在能量分辨和
空間分辨上的物理極限1195,1961，空間分辨即指低能電子的平均自由程.而基于同步
輻射的高亮度、波長可調(diào)以及偏振性而發(fā)展起來的PEENI則進一步克服了以往基
于常規(guī)真空紫外和X射線光源的光電子顯微術(shù)非元素靈敏的缺陷，從而為研究表
面與界面的化學特性與磁性等提供了前所未有的機遇.但PEEM技術(shù)不僅限于表
面和薄膜的研究，近年來也已經(jīng)擴展到生物學,醫(yī)藥學、地質(zhì)學等新領
域，特別是在磁性材料的研究中己經(jīng)發(fā)揮了重要的作用.
在對亞微米甚至納米尺度表面過程研究興趣的驅(qū)動下，PEEM的應川日益廣
泛，第三代同步輻射光源基本都建有專用的儀器設備.通過利用X射線吸收技術(shù)
以及與線二色(linear dichroisln, LD)和圓二色(circular dichroism, CD)的結(jié)合，
PEEM己經(jīng)成為對表面、薄膜以及界面磁性態(tài)成像的主要技術(shù).
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