本文標題："掃描電容顯微鏡的應用-上海光學儀器廠"
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掃描電容顯微鏡的應用-上海光學儀器廠
掃描電容顯微技術是將一仟赫茲的AC 偏壓加在欲測半導體試片上或導電探針上，
使此二者之間產生電場，經由電場的改變，探針下的自由載子可以改變成為帶正電荷或負電荷，而形成載子空乏或累積區域，
此現象可視為移動的電容板。
決定此電容板移動的距離之三個主要因素為施加電場的強度、導電探針與半導體間之介電層（通常為氧化層）的品質與厚度、
及自由載子的濃度。自由載子可視為屏障或接收外加電場；當電場強度越大或自由載子濃度越低，
則表面空乏層就會越深。導電探針與半導體間之介電層的厚度越大，則通過的電壓降越大。簡而言之，
掃描電容顯微技術就是一種具平面解析度的C-V量測技術，藉由監測外加AC波形偏壓變化下的電容變化值，而觀察與分析出載子濃度的多維動態影像。
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