本文標題："封閉電極結構-硅表面生成一層高質量氧化物"

發布者：yiyi ------ 分類: 行業動態 ------ 人瀏覽過-----時間：2017-4-28 1:30:7

封閉電極結構-硅表面生成一層高質量氧化物

三相電阻海結構:為了封閉電極結構，克服周圍環境的影響，

采取的方法之一是引用硅柵結構。在氧化層上淀積一層連續的高

阻多晶硅，然后對電極區域進行選擇摻雜，形成高阻與低阻相間的

三相電極圖案。電極間互連和焊接區采用蒸發鋁來實現。這種結

構成品率高，性能穩定，不易受到環境溫度的影響，它的缺點是尺

寸較大，僅用于小型陣列器件。

三相交疊硅柵結構:三相交疊硅柵結構是常用的三相交疊電

極結構形式。它既可使得電極間隙極窄，又能得到封閉的電極結

構。三相交疊電極可以是多晶硅，也可以用金屬鋁，或者二種混

用。先在硅表面生成一層高質量的氧化物，然后沉淀二氧化硅和

一層多晶硅，在多品硅上刻出第一組電極;再進行熱氧化，形成一

層氧化物，而后沉淀多品硅摻雜，并刻出第二組電極，以此類推，做

出三相電極。這是一種被廣泛采用的結構，主要問題是制造工序

較多，而且必須防止層間短路。

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