本文標(biāo)題："電子顯微鏡分辨率高，但觀察的試樣范圍小"
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電子顯微鏡分辨率高，但觀察的試樣范圍小
形核過(guò)程
再結(jié)晶的形核是一個(gè)比較復(fù)雜的過(guò)程，這一過(guò)程可能從幾十
個(gè)或幾百個(gè)原子范圍的微觀尺度開(kāi)始發(fā)生，并常常局限于變形基
體的某些局部。從實(shí)驗(yàn)角度來(lái)講，光學(xué)顯微鏡的分辨率不夠大，且
不便確定晶粒的取向；而電子顯微鏡分辨率高，但觀察的試樣
范圍又很小。因此，人們難于捕捉到再結(jié)晶形核過(guò)程的起始行為。
金屬再結(jié)晶形核的理論至今還很不完善，尚有不同的理論來(lái)描述
這一過(guò)程。
經(jīng)典形核理論
經(jīng)典形核理論認(rèn)為，在變形結(jié)構(gòu)中借助點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的能量起伏
可以形成具有長(zhǎng)大能力的核。這電是所謂的均勻形核或自發(fā)形核
過(guò)程。在這一過(guò)程中，一方面由于低位錯(cuò)密度結(jié)構(gòu)的形成使自由
能降低；另一方面由于生成的新核與基體的界面又使自由能升高。
上述分析表明再結(jié)晶的形核過(guò)程不可能是經(jīng)典的自發(fā)形核過(guò)
程，但是經(jīng)典形核理論提供了一個(gè)臨界核尺寸的概念，即再結(jié)晶
核必須大于某一尺寸才能自發(fā)生長(zhǎng)。由于能量起伏實(shí)際不能造成
再結(jié)晶核，因此，人們不得不設(shè)想大于臨界尺寸的再結(jié)晶核已存
在于變形基體內(nèi)。
晶界形核(應(yīng)變誘發(fā)晶界移動(dòng))
解釋再結(jié)晶形核過(guò)程通常要說(shuō)明再結(jié)晶核與變形基體之間是
怎樣形成可動(dòng)性好的大角度晶界的。變形金屬通常是多晶體，因
此常常會(huì)有許多大角度晶界。由于各晶粒取向的差別，當(dāng)冷變形
量很低時(shí)不同取向的晶粒所經(jīng)受的變形量可能不同，因而它們的
位錯(cuò)密度會(huì)有所差別。一晶界兩側(cè)位錯(cuò)密度的這種差別在一定條
件下會(huì)造成該晶界向高位錯(cuò)密度一側(cè)移動(dòng)。當(dāng)變形量較高時(shí)，則
大角度晶界兩側(cè)的位錯(cuò)密度沒(méi)有本質(zhì)區(qū)別，因而不會(huì)出現(xiàn)上述驅(qū)
使晶界單向移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)力。如果大角度晶界兩側(cè)的晶體由于取向
或其它因素的影響，在回復(fù)過(guò)程中進(jìn)行了不同的結(jié)構(gòu)調(diào)整從而造
成了位錯(cuò)密度上的差異，則驅(qū)使晶界單向移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)力也會(huì)因此
而產(chǎn)生，進(jìn)而造成了再結(jié)晶核的形成。
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