本文標題："硅片凹曲、光刻膠涂層不勻制版工藝檢測顯微鏡"
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硅片凹曲、光刻膠涂層不勻制版工藝檢測顯微鏡
最廣泛使用的制版工藝可獲得比目前使用的光刻膠更高的
分辨率。各批化學品之間的變化、光刻膠涂層厚度的差異和材
料貯存時間的長短都會引起分辨率的變化。硅片與掩模間距不
平行會引起分辨率的降低。掩模與硅片的間隔使曝光產生散
射。硅片凹曲、光刻膠涂層不勻、光束不平行或光源強度不勻亦
會產生同樣的毛病。
光刻工藝的基本原理要求曝光區的光刻膠應完全聚合。但
是粘滯的差異會引起厚度的變化，這些變化會導致曝光過量或
不足。薄的光刻膠涂層易引起側蝕，而厚的光刻膠涂層在曝光
后的顯影或去膠操作時則難以去除，同時還會引起腐蝕不徹底
或對擴散工藝的沾污。
光刻膠易失效，故應貯存在陰涼處。應自始至終使用合適
的新鮮光刻膠。
不同雜質含量的玻璃的腐蝕速率亦不同。磷玻璃一般比
硼玻璃的反應性更強。玻璃腐蝕速率快慢并存的地方就會產
生一方面要避免腐蝕不徹底，而另一方面又要盡可能減少側蝕
的雙重問題。基本的酸腐蝕劑一般應加以‘緩沖，以獲得可控的、
均勻的腐蝕速率。
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