本文標(biāo)題："金屬理想晶體的結(jié)晶體強(qiáng)度為普通金屬的1000倍"
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金屬理想晶體的結(jié)晶體強(qiáng)度為普通金屬的1000倍
金屬須本身是幾乎沒有錯(cuò)位的近似于理想晶體的結(jié)晶體，其強(qiáng)度
為普通金屬的1000倍。它是電子儀器短路的原因，必須設(shè)法防止。
鑲錫時(shí)，要在電鍍后，進(jìn)行表面光亮處理，或者和鉛組成錫鉛合
金進(jìn)行電鍍，就可以減少金屬須的產(chǎn)生。
金屬的位錯(cuò)就象棋子一樣，只要花費(fèi)少量的作用力，就能將其
推倒。又如波的傳遞一樣，只要花費(fèi)很小的力就能引起全面波動(dòng)。
可以理解，幾乎沒有位錯(cuò)的金屬須，必然具有很高的強(qiáng)度。
金屬中的位錯(cuò)大多集中在晶界上，故細(xì)晶金屬的晶界對(duì)于
晶體的滑移具有較強(qiáng)的抗力。同一種金屬內(nèi)，當(dāng)晶格缺陷很多
.或很少時(shí)都有高的強(qiáng)度，只有在中等缺陷時(shí)，強(qiáng)度較弱。
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